Войти с помощью

Регистрируйтесь! Это даст вам возможность добавлять свой контент на сайт писать комментарии. Сайту нужны копирайтеры, seo, помощь в наполнении и продвижении, сделай свой вклад.

Поделись с друзьями

На развитие Портала



Вконтакте Одноклассники Фейсбук

красный зелёный голубой

Как начать бизнес? Сайт Сибирского Здоровья

Многие вещи нам не понятны не потому что наши понятия слабы, а потому что сии вещи не входят в круг наших понятий.

Ученые создают новый вид памяти MRAM

Ученые создают новый вид памяти MRAM
ПОЛНЫЙ АНТИПАРАЗИТАРНЫЙ КОМПЛЕКТ (НА 10 ДНЕЙ ЧИСТКИ). ЛИМОННО ЭВКАЛИПТОВАЯ ЧИСТКА

В своей работе 2005 года, профессор физики Йохан Акерман расхваливал магниторезистивное оперативное запоминающее устройство (MRAM). По его мнению, оно может заменить различные типы памяти, которые обычно встречаются в современных электронных устройств.

Команда исследователей из Национального университета Сингапура (NUS) и Научно-технического университета короля Саудовской Аравии (KAUST) в настоящее время разрабатывают новый вид MRAM, которые могли бы воплотить в реальность мечты господина Акермана.

На современном этапе многие устройства упаковывают статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM), динамическое оперативное запоминающее устройство (DRAM ) и флэш-память. Каждая из них предлагает свои преимущества и недостатки. SRAM — быстрое, но нестабильное устройство, то есть данные, которые оно хранит, теряются при отключении питания. DRAM предлагает большую плотность памяти, чем SRAM, и оно дешевле.

Текущая технология MRAM хранит данные с использованием магнитных элементов хранения. Их образуют две ферромагнитные пластины, разделенных тонким слоем изолятора. Однако надежность MRAM оставляет желать лучшего, потому что эти пластины очень тонкие (менее одного нанометра), и сложно изготовить без дефектов. В результате чего, память хранит данные менее года.

Научно-исследовательская группа смогла заменить ферромагнитные пластины пленкой с альтернативной структурой. Она состоит из магнитных слоев толщиной в двадцать нанометров. Исследователи говорят, что этот метод позволяет хранить данные в течение двадцати лет. Чип MRAM следующего поколения привлекателен для широкого спектра приложений.

Newsland.ru

Поставьте оценку:
Рейтинг 0 (Проголосовало: 0)
Понравилось? Поделитесь с друзьями через кнопки социальных сетей!

Добавить страницу в закладки

0
160
Популярные видео каналы