Регистрируйтесь!

Регистрация даст вам возможность добавлять свой контент на сайт новости, статьи, фото, видео, вести свой блог, создавать группы писать комментарии и прочее. Сайту нужны копирайтеры, seo, помощь в наполнении и продвижении, сделай свой вклад. По всем вопросам работы сайта, а также предложения и замечания, направляйте райкому портала.

Мы будем рады, если вы поддержите портал



Вконтакте Одноклассники Твиттер Фейсбук

красный зелёный голубой

Ученые создают новый вид памяти MRAM

Ученые создают новый вид памяти MRAM
ПОЛНЫЙ АНТИПАРАЗИТАРНЫЙ КОМПЛЕКТ (НА 10 ДНЕЙ ЧИСТКИ). ЛИМОННО ЭВКАЛИПТОВАЯ ЧИСТКА

В своей работе 2005 года, профессор физики Йохан Акерман расхваливал магниторезистивное оперативное запоминающее устройство (MRAM). По его мнению, оно может заменить различные типы памяти, которые обычно встречаются в современных электронных устройств.

Команда исследователей из Национального университета Сингапура (NUS) и Научно-технического университета короля Саудовской Аравии (KAUST) в настоящее время разрабатывают новый вид MRAM, которые могли бы воплотить в реальность мечты господина Акермана.

На современном этапе многие устройства упаковывают статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM), динамическое оперативное запоминающее устройство (DRAM ) и флэш-память. Каждая из них предлагает свои преимущества и недостатки. SRAM — быстрое, но нестабильное устройство, то есть данные, которые оно хранит, теряются при отключении питания. DRAM предлагает большую плотность памяти, чем SRAM, и оно дешевле.

Текущая технология MRAM хранит данные с использованием магнитных элементов хранения. Их образуют две ферромагнитные пластины, разделенных тонким слоем изолятора. Однако надежность MRAM оставляет желать лучшего, потому что эти пластины очень тонкие (менее одного нанометра), и сложно изготовить без дефектов. В результате чего, память хранит данные менее года.

Научно-исследовательская группа смогла заменить ферромагнитные пластины пленкой с альтернативной структурой. Она состоит из магнитных слоев толщиной в двадцать нанометров. Исследователи говорят, что этот метод позволяет хранить данные в течение двадцати лет. Чип MRAM следующего поколения привлекателен для широкого спектра приложений.

Newsland.ru

Поставьте оценку:
Рейтинг 0 (Проголосовало: 0)
Понравилось? Поделитесь с друзьями через кнопки социальных сетей!

Добавить страницу в закладки

0
09:30
17
Популярные видео каналы